Внимание!!!
В выложенном на сайте тексте могут быть ошибки,
оригинальную версию методички одним файлом в формате .doc (MS Word)
2.6. Иерархия моделей информационно-вычислительных систем. /ЭВМ и ИВС./
Для проектирования этих систем появляется необходимость исследования процессов на самых различных уровнях /системном, логическом, физическом/. На каждом таком уровне ЭВМ выступает как комплекс технических средств, блоков, узлов, элементов, причем понятие элемент называется условным, поскольку на каждом более высоком уровне описания в качестве элемента выступает все более сложное устройство, т.е. элементом системы на данном уровне описания выступает некоторый неделимый компонент, функционирование которого не входит в рамки описания работы системы на данном уровне.
Для исследования ЭВМ информационных систем используются 7 уровней описания, но могут быть выделены и некоторые подуровни:
1. системный,
2. программно-алгоритмический или операционно-регистровый,
3 . функционально-автоматный ,
4. логический,
5. схемотехнический,
6. топологический,
7. компонентный или физический.
Эти уровни описания ЭВМ и соответствующие неделимые компоненты удобно представить в виде диаграммы (см. рис.1).
Модели 1-го уровня - системы массового обслуживания и сети с очередями, а также обобщенные динамические системы /ОДС/.
На 2-м уровне используются моделирующие программы /эмуляторы/ работы различных устройств, которые позволяют разработать и использовать программные средства для моделирования и выполнения на ЭВМ /одних на других/.
З-й использует представление устройств, как комплектацию автоматов: операционных и управляющих.
На 4-м используются уже элементарные автоматы или элементы логической схемы. Используются модели КС: статичные и динамичные. В (статике фиксируется только временная диаграмма и кодовые последовательности выходов схем. В динамике - переходные процессы.
На 5-м используют фазовые модели электронных компонентов /транзистора, ключа,.../, в которых в качестве непрерывных фаз переменных выступают токи и напряжения. Электронные системы рассматриваются как дискретные схемы. Цель - исследование АФХ
или проектирование заданных характеристик.
6-й связан с переходом к интегральной технологии. Для каждой из интегральных схем необходимо сформировать конфигурацию печатных проводников по слоям. На этом уровне используются различные модели трассировки, позволяющие создать топологию слоя индивидуально на каждом кристалле.
На компонентном физическом уровне исследуются процессы в теле полупроводника. Это передача электрических зарядов в легированных областях и на их границах.
